慧荣科技推出适用于 AI 智能手机、边缘计算和汽车应用的 6纳米制程UFS 4.0 主控芯片

2024-03-13 16:40:53.0 来源:

同时推出支持最新高速 3D TLC 和 QLC NAND 第二代 UFS3.1 主控芯片

台北和美国加州讯,2024 年 3月 13 日 -- 全球 NAND 闪存主控芯片领导厂商慧荣科技 (NasdaqGS: SIMO),今日宣布推出 UFS(通用闪存存储)4.0 主控芯片 SM2756。作为业界使用最广泛的 UFS 主控芯片解决方案系列的旗舰产品,可满足人工智能手机和其他高性能应用(包括汽车和边缘运算)不断增长的需求。同时还新增了第二代SM2753 UFS3.1主控芯片,以扩展其产品组合,支持从 UFS4.0 至 UFS2.2 标准。慧荣科技UFS产品系列为旗舰、主流和高性价比手机及其他移动计算设备提供高性能、低功耗的嵌入式存储,支持最广泛的 NAND 闪存,包括下一代高速 3D TLC 和 QLC NAND。

最新的 SM2756 UFS 4.0 主控芯片解决方案是全球最先进的主控芯片,基于领先的 6纳米 EUV 技术,采用 MIPI M-PHY 低功耗架构,提供高性能和电源效率的最佳平衡,满足现今高端 AI 移动设备的全天候计算需求。SM2756 实现 4,300 MB/s 以上的循序读取性能和 4,000 MB/s 以上的循序写入速度,支持最广泛的 3D TLC 和 QLC NAND 闪存,容量高达 2TB。

全新第二代 SM2753 UFS 3.1 主控芯片解决方案,采用高速串行链路的 MIPI M-PHY HS-Gear4x2-Lane标准和 SCSI 体系结构模型 (SAM),实现前所未有的性能。继 SM2754 UFS3 主控芯片取得成功后,SM2753 以单通道的设计特点,采用新一代 3D TLC 和 QLC NAND,提供 2150 MB/s 的循序读取性能和 1900 MB/s 的循序写入性能,满足当前手机、物联网和汽车应用中不断增长的 UFS3.0 市场需求。

慧荣科技最新 UFS 主控芯片解决方案搭载先进的 LDPC ECC 技术,具备 SRAM 数据错误检测和校正功能,增强数据可靠性、提高性能并降低功耗。最新 UFS 主控芯片解决方案支持最广泛的 NAND,包括所有领先闪存制造商最新的 3D TLC 和 QLC NAND 产品。

慧荣科技终端和车用存储业务高级副总段喜亭表示:“采用6纳米 EUV制程的 SM2756 满足最新的高端智能手机对高性能、高容量和低功耗 NAND 存储的需求,符合下一代 AI 功能和应用。”他指出:“最新的单通道 SM2753 能够使我们通过更具成本效益、高性能和低功耗的主控芯片,在扩大且不断增长的 UFS3.0 市场中保持领先地位。”

UFS4.0 SM2756:

·符合 JEDEC UFS 4.0 标准并支持 HS-Gear-5 x 2-Lane、MPHY 5.0 和 UniPro 2.0 标准

·双通道 NAND 闪存主控芯片,并支持 1.8V/1.2V I/O 操作和 Toggle DDR 5.1 / ONFI 5.1 NAND

·LDPC ECC 引擎,支持低功耗解码模式,通过软信息进行高纠错功能

·循序读取 / 写入性能:4300MB/s / 4000MB/s

·2024 年中批量生产


UFS 3.1 SM2753

·符合 JEDEC UFS 3.1 标准并支持 HS-Gear-4 双通道、MPHY 4.1 和 UniPro 1.8 标准

·单通道 NAND 闪存主控芯片,支持 1.8V/1.2V I/O 操作和 Toggle DDR 5.1 / ONFI 5.1 NAND

·LDPC ECC 引擎,支持低功耗解码模式,通过软信息进行高纠错功能。

·循序读取 / 写入性能:2150MB/s / 1900MB/s

·目前进入批量生产

慧荣科技将于3月20日在深圳举办的CFMS | MemoryS 2024峰会中展示最新的UFS控制芯片,以及最新的消费级和企业级 SSD解决方案,同时也受邀于峰会主论坛中进行演讲。

关于慧荣

慧荣科技(Silicon Motion Technology Corp., NasdaqGS: SIMO)是全球最大的NAND Flash主控芯片供应商,其中SSD主控芯片的出货量全球第一,应用在服务器、PC及其他消费性电子产品。慧荣同时也是eMMC和UFS嵌入式储存主控芯片的市场领导者,产品广泛应用在智能手机、IoT装置及其他领域存储设备。我们同时为超大型数据中心、车载和工控市场提供可定制化、高性能的SSD解决方案。客户包括多数的NAND Flash大厂、存储装置模组厂及OEM领导厂商。更多慧荣相关讯息请访问www.siliconmotion.com


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